技術編號：6168011
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供一種SCM樣品橫斷面的制備方法，包括在晶片上形成標識，確定目標樣品的位置；根據(jù)所述標識去除所述目標樣品一側的預定義寬度的晶片；采用聚焦離子束研磨所述目標樣品一側剩余的晶片，形成暴露出所述目標樣品橫斷面的預定義大小的開口；按照第一工藝配方對所述目標樣品的一側進行熱氧化，濕法腐蝕熱氧化后的所述目標樣品的一側，以暴露出所述目標樣品的橫斷面；按照第二配方對所述目標樣品的橫斷面進行熱氧化，以形成SCM樣品橫斷面。避免后續(xù)橫斷面的結構缺陷，同時省去了化學機械...
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