技術(shù)編號(hào)：6090633

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本發(fā)明涉及屏蔽包括磁敏材料的電路使其免受外部磁場(chǎng)影響的方法。本發(fā)明尤其涉及有源屏蔽包括磁敏材料的電路使其免受強(qiáng)外部磁場(chǎng)影響的方法和器件。背景技術(shù) 包括磁敏材料的電路可以是具有在其中使用的磁性材料的半導(dǎo)體器件。磁性材料被用在例如磁單元存儲(chǔ)器和磁場(chǎng)傳感器中。目前許多公司認(rèn)為磁性或磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)是閃速存儲(chǔ)器(flash memory)的繼任者。它具有代替幾乎最快的靜態(tài)RAM(SRAM)存儲(chǔ)器的潛力。這使得MRAM很適合作為用于片上系統(tǒng)(SoC)的...
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