技術(shù)編號(hào):6016467
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種晶圓的失效分析方法,特別是涉及一種需要進(jìn)行失效分析的晶圓樣品的制備方法。背景技術(shù)在晶圓級(jí)失效分析(Wafer Level FA)的物理結(jié)構(gòu)分析中,截面分析(Cross Section)是一種常用和有效的物理分析方法。使用的失效分析工具主要有截面加工工具, 如定點(diǎn)切割機(jī)(SEAL)、聚焦離子束分析儀(FIB)等;截面觀察設(shè)備,如光學(xué)顯微鏡(OM)、掃描電子顯微鏡(SEM)等。對(duì)于一些大尺寸(分析結(jié)構(gòu)尺寸大于IOum)甚至一些重復(fù)結(jié)構(gòu)的晶圓樣品來(lái)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。