技術(shù)編號(hào)：5267713
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子器件、光電子器件和納米器件，特別是涉及一種利用量子點(diǎn)和二維電子氣的復(fù)合結(jié)構(gòu)制備的。美國(guó)專利(專利號(hào)為6010934)公布了利用量子點(diǎn)(也稱島)來制備單電子晶體管的方法。這種器件實(shí)際上是一種量子點(diǎn)器件，可用來制備出高密度集成的單電子晶體管的電路。美國(guó)專利(專利號(hào)為6054349)公布了另外一種可實(shí)現(xiàn)單電子動(dòng)作的量子點(diǎn)器件，有時(shí)稱為單電子器件。這兩種量子點(diǎn)器件都主要由量子點(diǎn)和電極構(gòu)成。美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)枮?010934中公開的是量子點(diǎn)由硅材料組成，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。