技術(shù)編號(hào):5265862
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種磷化銦襯底上自組織生長(zhǎng)量子線納米材料的制備方法。本發(fā)明的特征在于采用了一種應(yīng)變補(bǔ)償技術(shù),使用四元合金銦鋁鎵砷(InAlGaAs)作為緩沖層和間隔層,通過(guò)調(diào)整其組分以獲得均勻的量子線陣列結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 量子線結(jié)構(gòu)材料的研究不僅是半導(dǎo)體物理學(xué)、材料學(xué)研究的基本問(wèn)題,而且由于其具有優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)特性,因此在半導(dǎo)體激光器、紅外探測(cè)器等光電子器件以及其他一些微電子器件中都有潛在的應(yīng)用價(jià)值。InP襯底上生長(zhǎng)的InAs量子線材料可將材料的發(fā)光波長(zhǎng)拓寬到1...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。