技術編號：5019914
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明與1999年9月20日提交的待審申請US60/155，454和2000年8月4日提交的US09/632770相關。在通過蝕刻或其他方法除去腐蝕物質或腐蝕層后，將晶片進行清洗以除去任何殘留的痕跡量的蝕刻溶液。清洗通常用去離子水來實施，這樣在干燥中產生靜摩擦問題。當“釋放的”結構附著在另一個表面時，出現(xiàn)靜摩擦或附著作用。圖2顯示了靜摩擦的視覺表示以及它是如何產生的。圖2a顯示了在其下捕獲清洗液體的適當釋放的懸臂多晶硅梁。圖2b顯示了在清洗液體干燥過程中形...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。