技術(shù)編號:409865
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種電子器件,其包含在襯底一側(cè)上提供包含二氧化硅的中孔層,除其他因素之外,該包含二氧化硅的中孔層可以通過施加含有四烷氧基硅烷、烷基取代的烷氧基硅烷、表面活性劑和溶劑的組合物層,并且通過除去溶劑和表面活性劑從而形成中孔層來實現(xiàn)的。本發(fā)明還涉及含有四烷氧基硅烷、芳基取代的或者是烷基取代的烷氧基硅烷和溶劑的組合物。本發(fā)明進一步涉及一種制備中孔層的方法,該方法包括在襯底上施加含有四烷氧基硅烷、芳基取代的或者是烷基取代的烷氧基硅烷、表面活性劑和溶劑的組合物的液體層,從該液體層中除去表面活性劑和溶劑,從而形成...
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