技術(shù)編號：40651127
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開總體涉及用于處理半導(dǎo)體襯底的方法和組件。更具體地，本公開涉及用于在半導(dǎo)體襯底上選擇性地沉積含硅材料的方法和組件。背景技術(shù)、氧化硅在半導(dǎo)體器件中用于各種目的。不斷減小的器件尺寸要求不斷改進(jìn)對生長速率和拓?fù)溥x擇性的控制，以允許制造這種器件。諸如原子層沉積和循環(huán)化學(xué)氣相沉積的循環(huán)沉積方法可以為工業(yè)面臨的許多挑戰(zhàn)提供解決方案。具體而言，等離子體增強(qiáng)方法可能是合適的，因?yàn)樗鼈冊试S使用低溫，因此與復(fù)雜器件的低熱預(yù)算兼容。、盡管在本領(lǐng)域中已經(jīng)開發(fā)了各種等離子體增強(qiáng)方法，但發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識到對在襯底上沉...
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