技術(shù)編號(hào):40615396
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氮化鎵,特別涉及一種氮化鎵單晶襯底高效研磨拋光裝置。背景技術(shù)、作為第三代半導(dǎo)體的氮化鎵是寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。廣泛用于制作高溫、高頻、大功率和抗輻射電子器件,例如半導(dǎo)體照明、g通信、衛(wèi)星通信、光通信、電力電子、航空航天等領(lǐng)域,已被認(rèn)為是當(dāng)今電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動(dòng)力,是最有前途的第三代半導(dǎo)體材料之一。、現(xiàn)有的技術(shù)在對(duì)氮化鎵單晶襯底進(jìn)行研磨拋光的時(shí)候,為了讓研磨的效果更好,需要更換不同的研磨盤,對(duì)氮化鎵單晶襯...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。