技術(shù)編號(hào):40612154
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體光電器件,具體涉及一種gan基激光芯片及其制備方法。背景技術(shù)、gan基材料稱為iii族氮化物材料(包括inn、gan、aln、ingan、algan等,禁帶寬度范圍為.~.ev),光譜覆蓋了近紅外到深紫外波段,被認(rèn)為是繼si、gaas之后的第三代半導(dǎo)體,在光電子學(xué)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。gan激光器由n-algan、量子阱、p-algan組成異質(zhì)結(jié),其中p-algan不僅是空位注入層,還是光限制層。在gan基激光器結(jié)構(gòu)中,p-algan的厚度一般在nm以上以保障高光...
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