技術(shù)編號(hào)：40611916
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)關(guān)于一種半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)及其制備方法。特別是有關(guān)于一種包括嵌設(shè)在一基底內(nèi)的一熔絲結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、許多集成電路(ics)由在一半導(dǎo)體基底的一單個(gè)晶片上的數(shù)百萬(wàn)個(gè)互連元件所組成，例如晶體管、電阻器、電容器以及二極管。通常希望ic盡可能快的運(yùn)行，并且消耗盡可能少的功耗。半導(dǎo)體ic通常包括一或多種類型的存儲(chǔ)器，例如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)存儲(chǔ)器、反熔絲存儲(chǔ)器以及電子熔絲存儲(chǔ)器。、電子熔絲通常借由設(shè)置在一介電層(例如氧化硅)上的一半導(dǎo)體材料(例如一多晶硅或一金屬化層)而整合...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。