技術(shù)編號(hào)：40611906
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開的各方面總體上涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體地，涉及非易失性存儲(chǔ)器裝置和包括非易失性存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器封裝件。背景技術(shù)、垂直存儲(chǔ)器裝置(也稱為三維(d)存儲(chǔ)器裝置)是包括在基底的表面上重復(fù)堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器裝置。這些存儲(chǔ)器裝置能夠在相對(duì)小的結(jié)構(gòu)內(nèi)具有相對(duì)高的存儲(chǔ)容量。例如，在垂直存儲(chǔ)器裝置中，溝道可以從基底的表面突出或垂直延伸，并且圍繞垂直溝道的柵極線和絕緣層可以重復(fù)堆疊。、然而，因?yàn)榇鎯?chǔ)器裝置仍應(yīng)包括用于驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器單元陣列的外圍電路以及用于將存儲(chǔ)器單元陣列與外圍電路電連接的布...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。