技術(shù)編號：40611890
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體裝置，并且更具體地，涉及包括屏蔽線和屏蔽接觸線的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)、半導(dǎo)體存儲器裝置的性能和成本可通過增加裝置的集成而被改善。在二維半導(dǎo)體存儲器裝置或平坦區(qū)域半導(dǎo)體存儲器裝置的情況下，其集成可通過由單位存儲器單元占據(jù)的面積而被確定，并且可被精細(xì)圖案形成技術(shù)的水平影響。然而，由于圖案小型化可需要昂貴的設(shè)備，因此d半導(dǎo)體存儲器裝置的集成可被限制。、為了降低制造半導(dǎo)體存儲器裝置的成本，已經(jīng)提出了包括其中溝道沿垂直方向延伸的垂直溝道晶體管的半導(dǎo)體存儲器裝置，這包括精細(xì)地形成構(gòu)成這...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。