技術編號：40611859
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體結構，且特別是涉及包含存儲元件的半導體結構。背景技術、電阻式隨機存取存儲器(resistance?random?access?memory；rram)是備受矚目的新世代非易失性存儲器。電阻式隨機存取存儲器將數(shù)據(jù)存儲在電阻轉換膜中。通過施加適當?shù)碾妷?，電阻轉換膜可以在高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)之間反復切換，從而存儲數(shù)字信息。然而，包含電阻式隨機存取存儲器的半導體結構的發(fā)展仍有多個重要問題尚未解決。例如，如何降低或避免半導體結構中層及元件的損傷是本領域技術人員面臨的重要議題之一。一般而...
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