技術(shù)編號：40604586
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于集成電路模組測試領(lǐng)域，尤其涉及基于高能粒子的大容量固態(tài)硬盤單粒子效應(yīng)測試方法和裝置。背景技術(shù)、隨著固態(tài)存儲器(solid?state?drive，ssd)的廣泛應(yīng)用，用戶對其可靠性要求越來越高。單粒子效應(yīng)(single?event?effects,see)可造成存儲系統(tǒng)邏輯功能異常，其中以單粒子功能中斷(single?event?functional?interruption，sefi)影響最大。高能粒子通過彈性碰撞造成的材料內(nèi)部原子位移，稱為位移損傷效應(yīng)(displacement?...
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