技術(shù)編號：40598010
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路存儲器設(shè)計，尤其是指一種基于stt-mram的nandflash控制器架構(gòu)、緩存方法和介質(zhì)。背景技術(shù)、nand?flash存儲器具有容量較大，改寫速度快、數(shù)據(jù)存儲能力可靠等優(yōu)點，因而被廣泛應(yīng)用。nlc(非晶硅技術(shù))和d結(jié)構(gòu)技術(shù)的發(fā)展極大地降低了nand?flash的單位存儲成本，然而隨著成本優(yōu)勢而來的是p/e周期(即編程/擦除周期存在限制)縮短的問題，對nandflash的可靠性產(chǎn)生了極大的影響，特別是nand?flash的寫前擦除特性，會導(dǎo)致nand?flash的使用壽命...
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