技術編號：40594503
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種mems壓力傳感器空腔的制作方法。背景技術、隨著半導體技術的發(fā)展和消費電子市場的增長，利用微機電系統(tǒng)(mems)技術制造的硅壓阻式壓力傳感器由于其體積小、精度高且可通過硅微加工工藝實現(xiàn)批量制備，在商業(yè)和工業(yè)領域得到了廣泛的應用。背面空腔的制備是壓力傳感器芯片制備中重要的一環(huán)，獲得空腔的同時在頂部得到敏感膜，空腔刻蝕深度對敏感膜的厚度起著決定性影響，而敏感膜的厚度對壓力傳感器的靈敏度有著重要的影響。因此必須嚴格控制壓力傳感器的刻蝕深度。、另外，在壓力傳感器中，背面...
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