技術(shù)編號(hào)：40575406
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)、三維疊層互補(bǔ)晶體管包括垂直堆疊的n型晶體管和p型晶體管，消除了n型晶體管和p型晶體管的橫向間距，其允許進(jìn)一步增大有效溝道寬度，從而利于提升半導(dǎo)體器件的工作性能和集成度。、但是，現(xiàn)有的三維疊層互補(bǔ)晶體管中，上層環(huán)柵晶體管和下層環(huán)柵晶體管包括的柵堆疊結(jié)構(gòu)之間的寄生電容較大，導(dǎo)致三維疊層互補(bǔ)晶體管的交流特性較差。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件，用于通過(guò)第一環(huán)柵晶體管包括的柵堆疊結(jié)構(gòu)和/或第二環(huán)柵晶體管包括的柵堆疊結(jié)構(gòu)位于交替層...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。