技術(shù)編號(hào)：40575203
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種氧化鎵外延片制備方法、外延生長系統(tǒng)及氧化鎵外延片。背景技術(shù)、氧化鎵作為新一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其自身優(yōu)異的特性，在高功率、低損耗電力電子器件領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。功率器件用氧化鎵材料由襯底和外延膜兩部分構(gòu)成，作為器件功能層的外延膜，需要實(shí)現(xiàn)高厚度、高質(zhì)量同質(zhì)外延生長，以滿足高壓、大功率器件的使用要求。、目前，功率器件用氧化鎵襯底中，（）和（）面更易實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶制備，特別是（）面已經(jīng)實(shí)現(xiàn)襯底和外延片的商業(yè)化。然而，（）面氧化鎵同質(zhì)外...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。