技術(shù)編號(hào)：40574882
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體硅外延片制備，具體涉及一種可減少邊緣微裂紋缺陷的硅外延片及其制備方法。背景技術(shù)、硅外延片是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中的一個(gè)重要產(chǎn)品，它特指在硅拋光片的基礎(chǔ)上，通過外延生長(zhǎng)技術(shù)形成的半導(dǎo)體硅片。硅外延片的摻雜類型、電阻率、厚度、均勻性等參數(shù)需要符合器件的使用要求，目前高壓大功率器件對(duì)工作耐壓的要求為~?v，相應(yīng)對(duì)目標(biāo)硅外延層的厚度要求為~?μm，屬于厚層硅外延片。厚層硅外延片的外延層在高溫下連續(xù)生長(zhǎng)的時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)，造成硅外延片面臨更大的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，特別是邊緣位...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。