技術(shù)編號(hào)：40573393
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，特別是涉及一種非穿通型(non?punchthrough，npt)絕緣柵雙極型晶體管(insulated?gate?bipolar?transistor，igbt)器件；本發(fā)明還涉及一種npt-igbt器件及其制造方法。背景技術(shù)、igbt器件是由金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)與雙極型三極管(bjt)復(fù)合而成的一種電壓驅(qū)動(dòng)型器件。mosfet輸入阻抗高、開關(guān)速度快，但載流子密度低，導(dǎo)通電阻高；bjt電流密度大、導(dǎo)通壓降低，但驅(qū)動(dòng)電流大；igbt綜合了兩...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。