技術(shù)編號(hào)：40531467
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硅片傳感器，尤其涉及一種壓力傳感器的制作和分離方法。背景技術(shù)、現(xiàn)有超高壓超薄壓力傳感器的制作多是采用sol硅片作為襯底，通過機(jī)械研磨將傳感器硅片研磨至-um左右，形成最終的傳感器,成本較高，且難以操作取芯片。、目前在高壓mpa-mpa的高壓傳感器領(lǐng)域中，一般的mems硅的傳感器芯片無法適用，因?yàn)樵诟邏涵h(huán)境中芯片生產(chǎn)會(huì)被破壞，根據(jù)技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)有硅應(yīng)變技術(shù)芯片可以完美解決這個(gè)問題，但是這種傳感器的靈敏度雖然很高，但是厚度很薄，通常厚度低于um；另外這種高壓傳感器采用...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。