技術(shù)編號：3780432
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，包括以下步驟S11，配置CsI溶液，所述CsI溶液的濃度為5wt％至50wt％；S12，配置SnCl2溶液，所述SnCl2溶液的濃度為10wt％至80wt％；S13，利用超聲噴印系統(tǒng)將所述CsI溶液噴印到基底上；S14，利用超聲噴印系統(tǒng)將所述SnCl2溶液噴印到所述基底上；S15，加熱所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化銫錫薄膜。本發(fā)明超聲噴印法制備三碘化銫錫(CsSnI3)薄膜的方法，在玻璃、陶瓷和金屬箔等大面積基底上合成薄膜，不需要基于真...
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