技術(shù)編號(hào)：3776855
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及晶體領(lǐng)域，且更具體涉及增強(qiáng)鈰攙雜正硅酸釔镥(LYSO)晶體以便響應(yīng)高能輻照產(chǎn)生更高的光輸出的方法。 背景技術(shù) 單晶閃爍是一種非常簡(jiǎn)單但又非常靈敏的檢測(cè)高能輻射的方法，例如X射線、γ射線和能量超過(guò)數(shù)千電子伏特(KeV)的高能粒子。上一個(gè)世紀(jì)中，提出了用于潛在閃爍應(yīng)用的大量晶體。對(duì)于醫(yī)療成像如正電子發(fā)射斷層成像(PET)，需要具有最高光輸出、最窄能量分辨率和最快衰變時(shí)間的晶體。此外，PET還需要具有良好物理完整性和化學(xué)惰性的晶體。鉈活化碘化鈉，...
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