技術(shù)編號：3689781

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背景技術(shù)發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及薄膜形成的組合物，其中可以形成具有優(yōu)良的介電性質(zhì)、粘合性、膜均勻性和機械強度的多孔膜，并且降低了吸濕；多孔膜和形成其的方法；以及內(nèi)部包含多孔膜的半導(dǎo)體器件。相關(guān)工藝的描述在半導(dǎo)體集成電路的制造中，由于電路是較緊密擁擠，增加了互連電容導(dǎo)致增加了互連延遲時間，由此阻礙了半導(dǎo)體電路性能的提高，所述的電容是金屬互連之間的寄生電容。這一互連延遲時間稱為RC延遲，其正比于金屬互連的電阻和互連之間靜電容的乘積。降低互連延遲時間要求降低金屬互連的...
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