技術(shù)編號：3450889

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本發(fā)明涉及SiC納米線，特指由木粉為碳源，含硅高分子先驅(qū)體為硅源制備SiC納米線的方法，以木粉為碳源，固體聚硅氧烷為高分子前驅(qū)體，通過原位反應(yīng)合成了 SiC納米線，該方法制備工藝簡單，成本較低，且高效利用了生物質(zhì)廢棄物。背景技術(shù)碳化硅納米線具有良好的力學(xué)、電學(xué)、化學(xué)穩(wěn)定性及臨界擊穿電場、電子飽和遷移率等特性，在高溫、高頻、大功率、高密度集成電子器件等方面具有巨大的應(yīng)用潛力；同時也可用于增強(qiáng)陶瓷、金屬和高分子材料，從而制備得到性能優(yōu)異的復(fù)合材料；近年來，利用...
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