技術(shù)編號：3444100
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，特別是涉及一種多晶硅還原爐用噴嘴和具有該噴嘴的多晶硅還原爐。背景技術(shù)在西門子法生產(chǎn)多晶硅的還原爐中，通常將一定配比的三氯氫硅(SiHCl3)和氫氣 (H2)混合氣從底部進(jìn)氣口噴入，在還原爐內(nèi)發(fā)生氣相還原反應(yīng)，反應(yīng)生成的硅(Si)直接沉積在爐內(nèi)的硅芯表面，隨著反應(yīng)的持續(xù)進(jìn)行，硅棒不斷生長最終達(dá)到產(chǎn)品要求。其中，從底部進(jìn)入的工藝氣體在還原爐內(nèi)的分布，對多晶硅棒的生長質(zhì)量具有重要影響。由于底部進(jìn)氣口的尺寸通常遠(yuǎn)小于還原爐的幾何尺寸，...
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