技術(shù)編號:3433671
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硅的再利用方法。另外,本發(fā)明涉及利用該方法得到的硅和硅錠(silicon ingot)。更具體而言,本發(fā)明涉及通過除去切割硅錠產(chǎn)生的硅 廢料(silicon scrap)中所包含的內(nèi)含物和雜質(zhì)來再利用硅。背景技術(shù)隨著對能源問題如化石燃料資源枯竭和環(huán)境問題如全球變暖的意識日 益增強,近年來對太陽能電池的需求迅速增長。要求太陽能電池用硅具有 99.9999%以上的高純度和0.5Qcm以上的電阻率,并使用制造半導(dǎo)體工業(yè)或 IC基底所用的高純硅時產(chǎn)生的不...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。