技術(shù)編號(hào)：3424857
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。更具體而言，本發(fā)明涉及一種回收來自半導(dǎo)體制造工藝的包含四氧化釕的廢料流的方法。 背景技術(shù)釕和釕化合物如氧化釕被認(rèn)為是有希望在新一代DRAM中用作電容器電極材料的 材料。目前這些電容器電極中使用的是高介電常數(shù)材料(aka高k材料)如氧化鋁、五氧化 二鉭、二氧化鉿和鈦酸鋇鍶(BST)。然而這些高k材料使用高達(dá)600°C的溫度制備，這導(dǎo)致 多晶硅、硅和鋁的氧化并引起電容損耗。另一方面，釕和氧化釕均顯示高抗氧化性和高電導(dǎo) 率并適于用...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。