技術(shù)編號：3410498
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，例如，可以用于形成作為半導(dǎo)體器件的反應(yīng)防止層起作用的阻擋膜。背景技術(shù)一般而言，在半導(dǎo)體元件或絕緣膜上形成銅布線時，若在元件上直接形成銅布線， 則銅擴(kuò)散到半導(dǎo)體元件(硅)或絕緣膜中，妨礙半導(dǎo)體的特性，因此預(yù)先形成擴(kuò)散阻擋膜， 之后形成銅布線。作為半導(dǎo)體元件的銅布線的擴(kuò)散阻擋膜，一般使用鉭或氮化鉭。例如，通過以下方式來進(jìn)行在用于形成銅布線的溝的凹部用高純度鉭靶進(jìn)行濺射形成鉭或氮化鉭膜從而形成擴(kuò)散阻擋膜，然后通過濺射形成包含銅或銅合金的種子層， 最后...
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