技術(shù)編號：3408387
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于薄膜生長過程原位動態(tài)特性監(jiān)測，特別是提供了一種薄膜生長過程原位動態(tài)特性監(jiān)測實驗裝置。它由真空控制部分、直流濺射鍍膜部分和測量部分組成。通過在鍍膜的過程中，對薄膜電阻或輸出電壓的動態(tài)監(jiān)測，描述薄膜形成的機(jī)制。背景技術(shù)當(dāng)前，伴隨著新材料、新技術(shù)的飛速發(fā)展及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的驚人進(jìn)步，電子信息產(chǎn)業(yè)日趨繁榮。體積小、重量輕、超薄型、高性能已成為新時代電子設(shè)備的發(fā)展趨勢。而薄膜器件的出現(xiàn)和技術(shù)突破則為推動微電子技術(shù)的發(fā)展起著極其重要的作用。進(jìn)入21世紀(jì)，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。