技術(shù)編號：3400467
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種濺射靶，并且特別涉及一種改進(jìn)的濺射靶材料，當(dāng)在氧氣環(huán)境中反應(yīng)濺射時(shí)，該材料能夠提供具有優(yōu)化的晶粒尺寸以及晶間間隔的磁性數(shù)據(jù)存儲薄膜。背景技術(shù) 濺射工藝廣泛應(yīng)用于各種不同領(lǐng)域中以提供具有精確控制的厚度以及原子尺度光滑表面的薄膜材料沉積，例如用于涂覆半導(dǎo)體和/或在磁記錄介質(zhì)的表面上形成薄膜。在反應(yīng)濺射工藝中，將陰極濺射靶置于部分的填充有化學(xué)反應(yīng)氣體的真空室內(nèi)，并且暴露于電場中以產(chǎn)生等離子體。該等離子體中的離子撞擊濺射靶的表面從而使得該濺射靶從濺射...
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