技術(shù)編號(hào):3400128
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及低氧含量的合金組合物,更具體地,涉及具有磁記錄應(yīng)用中有用磁性的低氧含量的合金組合物。 背景技術(shù) 磁阻磁頭(MR)和磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAR)預(yù)期是未來(lái)幾代垂直磁記錄和手機(jī)存儲(chǔ)應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)。正在研究新的材料以改進(jìn)提高存儲(chǔ)面密度和降低存儲(chǔ)芯片尺寸的設(shè)計(jì)。這些新的材料不僅必須具有專用于這些技術(shù)的磁性,而且它們也必須具有高純度。材料純度對(duì)于用在磁性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和MRAM應(yīng)用中的薄膜材料的性能起著重要作用。例如,雜質(zhì)如氧、氮、硫和堿性化合物改變薄膜材料的晶...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。