技術(shù)編號(hào)：3388579

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本發(fā)明涉及制備高K柵介質(zhì)材料的方法，特別是指一種制備組分可調(diào)的新型三元高K材料的方法。背景技術(shù) 隨著硅基半導(dǎo)體工業(yè)的飛速發(fā)展，器件的加工工藝不再可以簡(jiǎn)單地縮小尺寸，而且已經(jīng)達(dá)到了極限，因此，必須通過(guò)使用新的材料或提出新的器件模型來(lái)解決現(xiàn)存制約發(fā)展的因素。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工業(yè)場(chǎng)效應(yīng)管的柵介質(zhì)都是用二氧化硅(SiO2)，在過(guò)去的幾十年中，由于二氧化硅(SiO2)容易在硅表面氧化生長(zhǎng)，工藝簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性好，所以是一種重要的柵介質(zhì)材料。但隨著集成電路規(guī)模的不斷增大，器...
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