技術(shù)編號：3367517
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制作介質(zhì)層領域，特別涉及一種提高介質(zhì)層的均勻性方法。 背景技術(shù)在半導體器件的制作過程中，需要制作層間介質(zhì)。層間介質(zhì)充當了各層金屬間及第一金屬層與半導體器件的硅襯底之間的介質(zhì)材料。通常，層間介質(zhì)都是采用二氧化硅作為材料的，但是寄生電阻值比較高，會影響最終制作的半導體器件的性能，尤其隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，半導體器件的特征尺寸越來越小，這種情況就越來越嚴重。因此，在介質(zhì)層上增加了可以降低寄生電阻值的低介電常數(shù)層，該低介電常數(shù)層采用低介電常數(shù)材料，...
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