技術(shù)編號：3362506

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本發(fā)明涉及控制生成等離子體分布的等離子體控制方法，特別是涉及在具有與高 頻供電源相連接的高頻電極和與高頻電極相面對并且與接地電位或規(guī)定供電源相連接的 接地電極的真空容器內(nèi)，通過施加在高頻電極上的高頻電力來控制生成的等離子體的分布 的等離子體控制方法。背景技術(shù)至今為止，利用等離子體的薄膜成型和蝕刻應(yīng)用于很多。作為其裝置 的結(jié)構(gòu)，可以列舉的有電容耦合型的平行平板等離子體CVD(plasma assisted chemical vapor deposition)...
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