技術(shù)編號：3353856
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種靶座結(jié)構(gòu)。 背景技術(shù)濺射靶座是真空鍍膜設(shè)備中的主要裝置之一?，F(xiàn)有的濺射靶座多為直立的柱狀結(jié) 構(gòu)。每兩個(gè)所述柱狀靶座以放置被鍍物件的基座為中心對稱地設(shè)置，所述柱狀靶座相對一 側(cè)的表面上涂覆有鍍膜用的靶材。在進(jìn)行鍍膜時(shí)，所述靶材被電離的惰性氣體離子轟擊后 向靶座之間的區(qū)域?yàn)R射靶材原子以附著在被鍍物件的表面上形成膜層。但是，在整個(gè)濺鍍空間內(nèi)所述對稱設(shè)置的柱狀靶座并不連續(xù)分布，從而導(dǎo)致所述 柱狀靶座之間的靶材原子濃度分布不均勻，容易造成被鍍物件的膜層...
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