技術(shù)編號(hào)：3291527
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)。本發(fā)明解決了現(xiàn)有HfO2薄膜材料的制備工藝采用摻雜或加溫的方式制作，不能完全生成非晶薄膜的問題，提供了一種高K二氧化鉿非晶薄膜的制備方法，其技術(shù)方案可概括為首先將表面清潔后且去除表面自然氧化層的硅基片放入真空室基底，然后將表面打磨清潔處理后的金屬鉿靶作為靶材放入真空室靶位，關(guān)閉靶材擋板，利用高真空多功能射頻濺射鍍膜設(shè)備，對(duì)真空室抽真空，對(duì)基片進(jìn)行反濺清潔，反濺清潔后打開并調(diào)整射頻電源及其功率，進(jìn)行預(yù)濺射，最后調(diào)整氬氣通量，通入氧氣，打...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。