技術(shù)編號：3289104
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了。所述方法包括如下步驟選用P型太陽能級的硅片作為襯底；利用氫氟酸和硝酸混合溶液進(jìn)行制絨；磷擴(kuò)散；刻蝕去邊；去除磷硅玻璃；利用PECVD制備疊層減反射膜。該方法采用PECVD設(shè)備，通過適當(dāng)改變氣體流量比的方法實(shí)現(xiàn)疊層減反射膜制備。專利說明-種多晶硅太陽能電池疊層減反射膜制備的方法 [0001] 本發(fā)明設(shè)計(jì)一種多晶體硅太陽能電池疊層減反射膜制備的方法，屬于新能源、半 導(dǎo)體光電子等。 背景技術(shù) [0002] 在所有太陽能電池種類中，晶體硅太...
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