技術(shù)編號:3288845
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于薄膜生長或薄膜制備領(lǐng)域,更確切地說涉及在襯底上進行沉積或噴鍍等方法進行薄膜制備的領(lǐng)域以及類似裝置。本發(fā)明的內(nèi)容是提供一種解決高溫下襯底原子流失影響平整度的設(shè)計方案;本發(fā)明利用加熱裝置(1)來加熱襯底(2)至薄膜(3)生長所需的溫度,在薄膜生長的過程中利用補償蒸發(fā)源(4)來蒸發(fā)同襯底相同材料以補償其在薄膜生長過程中因為熱蒸發(fā)所流失的襯底表面材料(5),從而有效避免襯底在高溫下的蒸發(fā)造成的成膜形貌缺陷,可以生長出平整的、高質(zhì)量的薄膜材料。專利說明一種...
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