技術(shù)編號(hào)：3258837
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種沉積裝置。背景技術(shù)現(xiàn)有工藝在沉積氮化硅薄膜時(shí)，由于氮化硅(Si3N4)薄膜具有高的介電常數(shù)而被作為介電材料廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，如制造閃存的工藝?yán)镄枰纬梢粚覱NO作為浮置柵極(Floating Gate)和控制柵極(Control Gate)之間的介電材料,ONO層中0代表二氧化硅薄膜，N代表氮化硅薄膜。另外，氮化硅薄膜不易被氧分子滲透，利用這一優(yōu)點(diǎn)，以氮化硅作為罩幕層(Masking Layer),可以在場(chǎng)氧化層制...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。