技術(shù)編號(hào)：3251577
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種獲得立方織構(gòu)二氧化鈰的制備方法。技術(shù)背景陶瓷氧化物二氧化鈰(Ce02),通過磁控濺射的方法制備成膜應(yīng)用于諸多領(lǐng)域，特別是 在超導(dǎo)材料研究中，常以Ce02薄膜作為隔離層。常規(guī)情況下，在用磁控濺射方法鍍膜來 生長Ce02薄膜時(shí)，以陶瓷氧化物Ce02做為靶材。陶瓷氧化物靶材的濺射產(chǎn)額較相應(yīng)的 金屬靶材的濺射產(chǎn)額低，因而成膜生長速率慢，且必須使用射頻的濺射電源。而金屬材料 濺射產(chǎn)額高，生長速率快，可用直流濺射電源，成本低。以金屬材料為濺射靶材，需進(jìn)行...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。