技術(shù)編號(hào)：3250332
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景本發(fā)明一般涉及基片的化學(xué)機(jī)械拋光，更具體地說，涉及化學(xué)機(jī)械拋光裝置的夾頭。集成電路往往通過在基片上，特別是硅晶片上有序地沉積導(dǎo)電層、半導(dǎo)電層或絕緣層而做成。在每層沉積后要進(jìn)行浸蝕，以便產(chǎn)生電路特征。當(dāng)有序地沉積幾層并且浸蝕后，基片外表面或頂面，即基片的外露表面便逐漸變成非平面。此非平面的表面在集成電路制造工藝的光刻步驟中會(huì)發(fā)生問題，因此有必要周期性地使基片表面平面化?；瘜W(xué)機(jī)械拋光(CMP)是平面化的一種通用方法。這種平面化的方法通常要求將基片裝配到夾頭...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。