技術(shù)編號(hào)：3249262
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)近年，伴隨半導(dǎo)體裝置的高集成化和高功能化，要求進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的制 造工序中的微細(xì)加工技術(shù)的開發(fā)。特別是多層配線的形成工序中，對(duì)層間絕緣 膜或埋入配線等的平坦化技術(shù)變得非常重要。艮卩，通過絕緣膜或金屬膜等的圖案形成，在半導(dǎo)體晶片表面生成復(fù)雜的凹 凸。由該凹凸產(chǎn)生的階差易隨著配線的多層化而變大。因此，存在如果在半導(dǎo) 體晶片上進(jìn)一步形成圖案，則通過光刻法實(shí)施圖案復(fù)制時(shí)的焦點(diǎn)深度變淺，無 法形成所要的圖案等問題。因此，要求開發(fā)以高精度將半導(dǎo)體...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。