技術(shù)編號(hào)：2927052
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體器件加工和離子注入，且更具體地，涉及在調(diào) 定期間或在最初的位置處定向校準(zhǔn)、探測(cè)和/或修正離子束入射角。背景技術(shù)離子注入為在半導(dǎo)體器件加工中使用的選擇性地注入摻雜劑到半導(dǎo) 體和/或晶片材料的物理過(guò)程。因此，注入的作用不依賴(lài)于摻雜劑和半導(dǎo) 體材料之間的化學(xué)相互作用。為了離子注入，摻雜劑原子/分子被離子化、 加速、形成束、分解、以及掠過(guò)晶片，或者晶片被所述束穿過(guò)。物理上摻 雜劑離子轟擊晶片、進(jìn)入表面并在表面下的它們的能量所及的深度靜止。離子注...
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