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用于在等離子體蝕刻期間屏蔽晶片不受帶電粒子影響的設(shè)備和方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2919694

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本發(fā)明通常涉及如微電子器件的薄膜結(jié)構(gòu)的等離子體蝕刻。更具體地說(shuō),它涉及用于在等離子體蝕刻期間屏蔽襯底不受帶電粒子影響的方法,以在某些工藝條件期間提供保護(hù),或調(diào)節(jié)蝕刻各向異性。背景技術(shù) 在制造微電子器件和微機(jī)械器件時(shí)一般采用等離子體蝕刻。等離子體蝕刻用于除去薄膜,構(gòu)圖薄膜,或用于形成微機(jī)械特征。在等離子體蝕刻中,將射頻電源施加到氣體混合物,產(chǎn)生幫助蝕刻工藝的帶電粒子。不帶電的反應(yīng)粒子對(duì)于等離子體蝕刻工藝也很重要,因?yàn)樗鼈兲峁┐蠖鄶?shù)材料的去除。在大多數(shù)等離子體...
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