技術(shù)編號：2908328
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體刻蝕室。背景技術(shù)在等離子體刻蝕室中，通常包括一個真空處理室，真空處理室內(nèi)設(shè)置一上電極和下電極，下電極上方設(shè)置一個靜電吸盤，待處理的基片放置在靜電吸盤上；上電極外周通常設(shè)置一調(diào)節(jié)環(huán)，用以調(diào)節(jié)真空處理室內(nèi)的射頻功率耦合系數(shù)和刻蝕的均勻度。在不同的應(yīng)用中，調(diào)節(jié)環(huán)的材質(zhì)不同，例如，在縱向刻蝕深孔時，需要使用硅或碳化硅制作的邊緣環(huán)；在橫向刻蝕溝槽時，需要使用石英制作的邊緣環(huán)。目前，同時進行縱向刻蝕深孔和橫向刻蝕溝槽...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。