技術(shù)編號(hào)：2785874
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及設(shè)計(jì)圖形的制作方法、光掩模的制造方法、光刻膠圖形的形成方法和半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù) 伴隨著半導(dǎo)體器件的微細(xì)化和高集成化，形成微細(xì)的孔圖形就變得困難起來(lái)。于是，人們提出了這樣的方案采用在在光刻膠膜上形成孔圖形之后再對(duì)光刻膠膜施行熱回流的辦法，縮小孔圖形。在使用熱回流的情況下，孔圖形的縮小量依賴于圖形密度或到相鄰的圖形的距離(例如，參看SPIE vol.4690，671-678頁(yè)，2002年“70nm Contact Hole Pattern...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。