技術(shù)編號(hào):2759650
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,特別地,涉及一種電子束曝光與普通光學(xué)曝光相結(jié)合的混合曝光方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸的不斷縮小,在中,普通的光學(xué)曝光的技術(shù)極限也已逐漸到來(lái)。目前,普遍采用的普通光學(xué)曝光技術(shù)中,I線光源365nm可以對(duì)350nm及以上尺寸的線條進(jìn)行曝光,準(zhǔn)分子激光光源M8nm/193nm,包括浸沒(méi)式193nm, 可用于制作特征尺寸在20nm及以上半導(dǎo)體器件器件,而用傳統(tǒng)的普通光學(xué)曝光技術(shù)很難實(shí)現(xiàn)對(duì)20nm以下精細(xì)圖形的曝光。20nm以下的精細(xì)圖形通常...
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