技術(shù)編號(hào):2702119
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提出一種,包括以下步驟1)在晶圓上進(jìn)行硬掩膜的生長(zhǎng);2)在硬掩膜上涂覆光刻膠;3)利用光刻工藝,將用于定位光纖陣列的梯形槽的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上;4)利用等離子刻蝕技術(shù),將梯形槽的圖形進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到硬掩膜上;5)利用等離子刻蝕技術(shù),在晶圓上刻蝕出梯形槽,該梯形槽的側(cè)壁與晶圓上表面的交界處為光滑的弧形面;6)除去晶圓上殘留的硬掩膜。本發(fā)明可以解決目前制作光纖陣列定位槽通用的濕法腐蝕、機(jī)械加工等方法帶來(lái)的定位精度差、成本高以及成品率低等問(wèn)題,并且可以有效提高...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。